模拟电子技术基础第三版课后习题答案(7)

模拟电子技术基础第三版

Q：IBQ

VCC UBEQRb (1 )Re

31μA ICQ IBQ 1.86mA

UCEQ VCC IEQ(Rc Re) 4.56V

rbe rbb' (1 )

26mV

952 IEQ

Ri Rb∥rbe 952 (Rc∥RL) 95 Au

rbe Ro Rc 3k

(2)

Ri

Us 3.2mV

Rs Ri

304mVUo AuiUi

若Ce开路，则

Ri Rb∥[rbe (1 )Re] 51.3k

Rc∥RL 1.5Au

ReRi

Us 9.6mV

Rs Ri

14.4mVUo AuiUi

2.20（a）源极加电阻RS。 （b）输入端加耦合电容，漏极加电阻RD。

（c）输入端加耦合电容 （d）在Rg支路加－VGG，＋VDD改为－VDD

2.21 （1）在转移特性中作直线uGS＝－iDRS，与转移特性的交点即为Q点；读出坐标值，得出IDQ＝1mA，UGSQ＝－2V。

在输出特性中作直流负载线uDS＝VDD－iD（RD＋RS），与UGSQ＝－2V的那条输出特性曲线的交点为Q点，UDSQ≈3V。 （2）gm

iD uGS

UDS

2UGS(off)

IDSSIDQ 1mA/V

gR 5 R 1M R R 5k AumDioD

2.22 （1）求Q点：UGSQ＝VGG＝3V

从转移特性查得，当UGSQ＝3V时，IDQ＝1mA，UDSQ＝VDD－IDQRD＝5V （2）求电压放大倍数：

gm

2UGS(th)

IDQIDO 3V

gR 20AumD

2.23