雨碎江南模拟电子技术基础第三版
1.16 当VBB＝0时，T截止，uO＝12V。
当VBB＝1V时，T处于放大状态。因为
IBQ
VBB UBEQ
RbVBB UBEQ
Rb
60μA，ICQ IBQ 3mA，uO VCC ICQRC 9V
当VBB＝3V时，T处于饱和状态。因为
IBQ 160μA，ICQ IBQ 8mA，uO VCC ICQRC＜UBE
1.17 取UCES＝UBE，若管子饱和，则
VCC UBEVCC UBER
，Rb RC，所以 b 100管子饱和。
RbRCRC
1.18 当uI＝0时，晶体管截止，稳压管击穿，uO＝－UZ＝－5V。
当uI＝－5V时，晶体管饱和，uO＝0.1V。因为
IB
uI UBE
480μARb
IC IB 24mA
UEC VCC ICRC＜VCC
1.19（a）可能 （b）可能 （c）不能 （d）不能，T会损坏。 （e）可能
1.20 根据方程
iD IDSS(1
uGS2
)
UGS(th)
逐点求出确定的uGS下的iD，可近似画出转移特性和输出特性。在输出特性中，将各条曲线上uGD＝UGS（off）的点连接起来，便为予夹断线。 1.21
1.22 过uDS为某一确定值（如15V）作垂线，读出它与各条输出特性的交点的iD值；建立iD＝f（uGS）坐标系，根据前面所得坐标值描点连线，便可得转移特性。
1.23 uI＝4V时T夹断，uI＝8V时T工作在恒流区，uI＝12V时T工作在可变电阻区。
模拟电子技术基础第三版
1.24 （a）可能 （b）不能 （c）不能 （d）可能 一、（1）× （2）√ （3）× （4）× （5）√ （6）× （7）× 二、（a）不能。因为输入信号被VBB短路。 （b）可能
（c）不能。因为输入信号作用于基极与地之间，不能驮载在静态电压之上，必然失真。 （d）不能。晶体管将因发射结电压过大而损坏。
（e）不能。因为输入信号被C2短路。
（f）不能。因为输出信号被VCC短路，恒为零。
（g）可能。 （h）不合理。因为G-S间电压将大于零。 （i）不能。因为T截止。
三、（1）(VCC UBEQ)IBQ 565 ； (VCC UCEQ)（2） Uoi -120 ； IBQ 3
RL'
Uo 0.3
RC＋RL
四、（1）A （2）C （3）B （4）B 五、（1）C，D E （2）B （3）A C D （4）A B D E （5）C （6）B C E，A D 六、
2.1
大 大 中 大 c b c 小 大 大 小 b e c 大 小 小 大
2.2（a）将－VCC改为＋VCC 。 （b）在＋VCC 与基极之间加Rb。 （c）将VBB反接，且加输入耦合电容。
（d）在VBB支路加Rb，在－VCC与集电极之间加Rc。
2.3 图P2.3所示各电路的交流通路；将电容开路即为直流通路，图略。
2.4空载时：IBQ＝20μA，ICQ＝2mA，UCEQ＝6V；最大不失真输出电压峰值约为5.3V。
带载时：IBQ＝20μA，ICQ＝2mA，UCEQ＝3V；最大不失真输出电压峰值约为2.3V。 2.5（1）× （2）× （3）× （4）√ （5）× （6）× （7）× （8）√
（9）√ （10）× （11）× （12）√
2.6 （1）6.4V （2）12V （3）0.5V （4）12V （5）12V 2.7
