惜文律，为设计半导体激光器的系统提供了重要依据。耍产生激光，半导体激光器必颈在其ＰＮ结Ｊ二加大于闽值电流的注入电流。ＬＤ之所以能等效为纯阻元件是由于ＬＤ管芯上下台面的总电容Ｐｃ通常是皮法量级，而管脚对地的电容ｓｃ的值更小。串联电ＩＮＳＲ可以通过犬电流下的正向Ｉ－Ｖ特性估算出，发光管的难向电压．反向电流及反向电ＪＪ：等参数也可以用同样的方法得划。
幽２４半导体濑光器】一Ｖ特性曲线蹦崩２５半导体擞光器Ｐ—Ｊ特性曲蛙
２、半导体激光器的温度特性Ｉ圳
ＬＤ是一个对温度很敏感的器件，它的工作温度对其工作特性较大的影响。从图２．６中可以看出：
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２，６激光输山功率与驱动电流的关系
（１）在同一温度下 当‘＜厶，昂。０－而，，）Ｌ时 Ｒ随１，的增长直线上升，其中，聃为ＬＤ的闽值电流：‘随着温度升高而升高．温度的改变将使特性曲线平移移动：如果ＬＤ在恒流一ＦＬＥ作．输出功率将随着温度的变化而发生较大的改变。
２．２半导体激光器稳频原理
２．２．ＩＬＤ稳频原理
半导体激光器频率变化的主要琢困足山就驱动电流和工作温度的变化导致的。随着半导体激光嚣温度的升高，激光波【∈向长波长方向漂移，如图２７。随着激光器驱动电
