中兴通讯硬件一部巨作-信号完整性!
信号完整性基础知识
A NMOS3.5mA
350mV
B
350mV
A
100
B
功耗小(驱动器功耗 1.2mW)摆幅小(350mV)速度快,不慢于 ECL,由于恒流源特性, 抗干扰能力特别强,差动传输可减少传输线数量,压缩(18→21)→4 对;
2.2.4. ECL(PECL)电路结构如下图:
Vcc
f
a
b
c
VBB
VEEf =a+b+c
f = a+b+c
ZTE 中兴
18
中兴通讯硬件一部巨作-信号完整性!
信号完整性基础知识
A NMOS3.5mA
350mV
B
350mV
A
100
B
功耗小(驱动器功耗 1.2mW)摆幅小(350mV)速度快,不慢于 ECL,由于恒流源特性, 抗干扰能力特别强,差动传输可减少传输线数量,压缩(18→21)→4 对;
2.2.4. ECL(PECL)电路结构如下图:
Vcc
f
a
b
c
VBB
VEEf =a+b+c
f = a+b+c
ZTE 中兴
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