中兴通讯硬件一部巨作-信号完整性(23)

中兴通讯硬件一部巨作-信号完整性!

信号完整性基础知识

2.1.2.1.2. NMOS:N 型金属氧化物半导体

V

+

+ 5V

VN N

+

磷扩散地

P

V0

f

a

b

c

f =a+b+c

2.1.2.1.3. CMOS 互补型金属

氧化物半导体

PMOS

NMOS

工作在直流为 0(只有漏电流 0.5μA 左右),所以功耗只有原来几千分之一，速度快、结 构简单，适合大规模集成(功耗因素、尺寸因素、工艺因素) 2.1.2.2. 双极型：一个元件的电极上有两种扩散类型，或者说有两种半导体类型(N 或 P) 2.1.2.2.1. TTL:速度快、功耗低，但输出管工作在饱和区，存储时间较长。 (STTL、LSTTL、ALSTTL、ASTTL、FTTL、LVTTL)以上为不断改进的器件类型。 2.1.2.2.2. ECL 高速度、高功耗、电流藕合型，电压摆幅小。 (ECLⅠ.Ⅱ.Ⅲ、ECL10K、ECL100K、ECL10H、ECL10E、ECL100E)改进型。

ZTE 中兴

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