柒夏刘春香 等:掺硼p+2Si外延层厚度的测试方法
所示的外延层与衬底的界面
。
6 结论
与磨角染色法相比,本文所提出的p+2Si外延层
厚度的测量方法简单易行,可以测量p+/p结构的外延层厚度,且该方法具有一定的准确度。该方法可以作为外延工艺的检测手段,以加强对外延过程的监控;并且该方法仅适用于高浓度掺杂的p型外延层厚度的测量,B掺杂的浓度不小于5×1019cm-3。参考文献:
[1]《国内外半导体材料标准汇编》编委会.国内外半导体材
图3 外延层与衬底界面图
Fig13 Interfacebetweenepitaxiallayerandsubstrate
(3)转动金相显微镜测微尺中的标线,直到目
镜中的标线与外延层的一边重合,此时将显示表读数复位。
(4)再次转动金相显微镜测微尺中的标线,直到目镜中的标线与外延层的另外一边重合,此时显示表上的读数即为外延层的厚度。
料标准汇编[S].北京:中国标准出版社,2004:5472554.
[2]《电子工业生产技术手册》.电子工业生产技术手
册:S].:国防工业出版社,
304.
].[M].北京:化学工业
5 结果分析
量。结果表明,1表1 不同测量方法测得的外延层厚度结果对比
Tab11 Measuredresultcomparisonwithdifferentmethods
样品号
(磨角染色法)d1/μm(本方法)d2/μm
151815112
271928121
371657120
481328190
541935115
:1192124.
]刘玉岭,檀柏梅.微电子技术工程[M].北京:电子工业
出版社,2004:1332205.
(收稿日期:2009201216
)
作者简介:
),女,天津塘沽人,高级工刘春香(1960—
程师,1982年毕业于天津大学电子工程系半导体器件与物理专业,获工学学士学位,长期从事半导体材料加工和测试分析工作,已发表论文数篇;
从表1可以看出,采用该方法进行外延层厚度测量时,测量结果与采用磨角染色法测量的外延层厚度的结果比较吻合。
在样品腐蚀过程中,由于样品的断面为<110>晶向,因此,衬底层断面的腐蚀速率很快,通常在较短的时间内即腐蚀出台阶。
),女,天津宝坻人,高级工程师,1987年毕业于天佟丽英(1966—
津大学电子工程系半导体器件与物理专业,获工学学士学位,主要研究方向为半导体材料的加工技术,已发表论文数篇。
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术”,欢迎大家踊跃投稿。
July 2009
SemiconductorTechnologyVol134No17 691
