似如千厥歌
等离子刻蚀的基本过程：
气体 离化成活性粒子 扩散并吸附到待刻蚀表面 表面扩散 与表面膜反应 产物解吸附 离开硅片表面并排除腔室
主要反应粒子：离子，原子团（自由基），电子，中性粒子，其中中性粒子流最大，但是离子引起的损伤最重。
高压等离子体刻蚀通常在500mTorr压力下工作，反应离子刻蚀通常在数十mTorr量级工作。
一个典型的机制可以看到刻蚀的基本过程：
带正电的离子在电场的作用下发挥清道夫的作用，不断清除正面的惰性附着物， 留出新鲜的表面供等离子体中化学活性的粒子吸附并反应。
而侧壁由于没有充分的离子轰击，聚合的钝化膜阻止了反应的进行，所以，各向异性得以实现。
干法刻蚀类型和特点
干法刻蚀一般有以下几种：等离子体刻蚀、离子束和溅射刻蚀、反应离子刻蚀和反应离子束刻蚀。 （a）等离子体刻蚀（Plasma Etching）
等离子体刻蚀是运用气体辉光放电中等离子体使气相物质离子化，以强化其与基片的化学反应，而达到刻蚀目的的一种技术。由于等离子体刻蚀一般无法控制活性基团作用于基片的方向，因而是各向同性的，将会引起严重的钻蚀。但是，这种刻蚀通过选择不同的气体和气体混合物可获得较大的选择比。 （b）离子刻蚀
离子刻蚀包括离子束刻蚀（IBE）和溅射刻蚀（SE）两种。它们都是利用具有一定动能的惰性气体（如氩气）的离子轰击基片表面而造成刻蚀的，因此基本上是一种物理过程。 溅射刻蚀（SE）各向异性好，刻蚀图形边缘整齐，有很高的分辨率，但是这种方法轰击离子具有较高能量，易造成样品的辐射损伤，特别对性能较敏感的结构，且刻蚀速率小，并且对不同材料缺少选择性。
离子束刻蚀（IBE）则是利用离子源产生具有一定动能的惰性气体的离子，轰击样品表面而造成刻蚀。离子束刻蚀速率主要取决于离子束入射角、离子能量、离子束流密度以及被刻蚀材料
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（c）反应离子刻蚀（RIE）
在射频溅射刻蚀时，若用反应气体代替惰性气体，则称之为反应离子刻蚀，这种方法是离子轰击的物理效应和活性粒子的化学效应的结合，因而兼有前面两类刻蚀方法的优点，
不仅有高的刻蚀速率，而且可以有良好的方向性和选择比，能刻蚀精细图形。
反应离子刻蚀、溅射刻蚀和平板等离子体刻蚀的装臵基本上都是平行板电极系统。反应离子刻蚀与溅射刻蚀的主要区别在于：后者只是用惰性气体的离子束，而前者则是用活性气体。
（d）反应离子束刻蚀（RIBE）
利用从离子源发出的化学活性物质对基片表面进行轰击、反应，使基片刻蚀的方法。与IBE的区别是使用活性离子，而不是惰性气体离子。它具有可刻蚀亚微米结构能力，可控制侧壁倾角，减少反应室的玷污及腐蚀等优点，但也存在选择性差、器件寿命短、刻蚀速率低的问题。在新一代高密度等离子体源中，感应耦合等离子体技术（Inductively Coupled Plasma）和螺旋波等离子体（Helicon Plasma）最为引人注目，前者的工作原理是通过外加高频耦合射频电磁场，使电子和气体分子碰撞电离产生等离子体，该技术结合侧壁钝化工艺刻蚀硅，可获得高深宽比（>100）的硅微结构
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。后者则具有异常高的等离子体密度，在等离子体中心区
电离效率几乎可达100%。
表1-4对各种等离子体刻蚀工艺在反应物种类、反应机理以及刻蚀效果等作了简单的比较
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刻蚀方 等离子离子束 溅射刻反应离反应离法 体 刻蚀 刻蚀 蚀 子 子 刻蚀 束刻蚀 反应物游离基 非活性非活性活性离活性离种类 离子 离子 子 子 反应机化学反物理轰物理轰物理/化物理/理 应 击 小 击 小 学 中 化学 中 选择性 大 方向性 各向同各向异各向异各向异各向异性 损伤 性 性 性 性 较大 中（电子大（原子大（原子较大 的） 的） 的）
表1-4 各种等离子体刻蚀工艺的比较
（2）干法刻蚀工艺的基本要求
在集成电路、集成光路以及各种固体电子器件的加工中，对刻蚀工艺理想的要求是：
（a）能获得完整的精细图形。随着器件的高度集成化，
