MOSFET单相全桥无源逆变电路(8)

4 主电路设计及参数选择

4.1 主电路仿真图

在本次设计中，主要采用单相全桥式无源逆变电路(电阻负载)作为设计的主电路。由于软件上的电源等器件都是理想器件，故可将直流侧并联的大电容直接去掉。由以上工作原理概论的分析可得其主电路仿真图如下所示：

图2 MOSFET单相全桥无源逆变电路（电阻负载）电路

4.2 参数计算

电阻负载，直流侧输入电压

=100V, 脉宽为θ=90°的方波，输出功率

为300W，电容和电感都设置为理想零状态。频率为1000Hz

由频率为1000Hz即可得出周期为T=0.001s，由于V3的基波信号比V1的落后了90度（即相当1/4个周期）。

通过换算得：