简单介绍高亮LED芯片结构及封装技术(2)

图2 普通LED和薄技技术LED的正面出光率比较

三大封装技术介绍

高功率LED封装技术可区分为单颗芯片、多芯片整合及芯片板上封装三大类，以下将进行说明。

发光效率、散热、可靠性为单颗芯片封装优势

单颗芯片封装是封装技术中应用最多的，其主要的技术瓶颈在于芯片的良率、色温的控制及荧光粉的涂敷技术，而欧司朗光电半导体的Golden DRAGON Plus LED，采用硅胶封装，其封装外型及内部简要结构如图3所示。

图3 欧司朗光电半导体Golden DRAGON Plus LED的封装外型及内部结构

该LED具有170度的光束角，能理想地配合二次光学透镜或反光杯，其硅胶透镜有着耐高温及低衰减的特性。独特的封装设计进一步提升LED的散热性能，使产品的热阻控制在每瓦6.5℃左右，有助于降低热阻。另外，荧光粉的特定配制使LED的色温覆盖冷白、中性白和暖白范围。单芯片封装的优势在于光效高、易于散热、易配光及可靠性。

多芯片整合封装于小体积内可达高光通量

多芯片整合组件是目前大功率LED组件最常见的另一种封装形式，可区分为小功率和大功率芯片整合组件两类，前者以六颗低功率芯片整合的1瓦大功率LED组件最典型，此类组件的优势在于成本较低，是目前不少大功率组件的主要制作途径。大功率芯片结合以OSTAR SMT系列为代表，其封装外型如图4所示，