基于单片机的电子密码锁控制电路设计(3)

第4期　　　　　　　　　　周鑫等:基于单片机的电子密码锁控制电路设计

然后驱动电磁锁,达到开门的目的。其实际电路如图4所示

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图4　

图5　存储电路

。由D1、R1、T1组成驱动电路,其中T1可以选择普通的小功率三极管如9014、9018,D1作为开锁的提示。由D2、C、T2组成执行开锁电路,其中D2、C是为了消除电磁锁可能产生的反向高电压以及可能产生的电磁干扰从而起到保护电路的作用。T11可选用中功率的三极管如8050,电磁锁的选用要视情况而定,但是吸合力要足够且由一定的余量。当单片机输入开门信号时驱动电路T1导通从而D1发光提示开锁,同时驱动T2,T2导通执行开锁。

21213　存储电路设计

存储电路主要作用是存储密码,提供校验

码以在密码判定的时候作为密码安全性的一

道屏障。

存储电路如图5所示,采用ATMEL公司

推出的容量为512KB的串行电可擦除、可编

程存储芯片AT24C512设计,传输方式为I2C

总线。这样设计的优点在其简单性和处理的

高效性上。一般A0、A1、WP接VCC或

GND,SCL、SDA接上拉电阻(上拉电阻的阻值

可参考有关数据手册选择,通常可选5K到　

10K的电阻,设计中选用的电阻阻值为10K)

后再接单片机的普通I/O口,即可实现单片机

对AT24C512的操作。在对AT24C512开始

操作前,需要先发一个8位的地址字来选择芯

片以进行读写。其中要注意“10100”为

AT24C512固定的前5位二进制;A0、A1用于

对多个AT24C512加以区分;R/W为读写操

作位,为1时表示读操作,为0时表示写操作。

AT24C512内部有512页,每一页为128字图6　软件流程图

节,任一单元的地址为16位,地址范围为