loading一．选择填空
1．在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于 杂质浓度 ,而少数载流子的浓度则
与 温度 有很大关系。
A.温度 B.掺杂工艺 C.杂质浓度 D.晶体缺陷
2．P型半导体中空穴是 多数载流子 ，带 正 电；自由电子是 少数载流子 ，带 负 电。
A.多数载流子 B. 少数载流子 C. 正 D. 负
3．N型半导体 呈中性 ，P型半导体 呈中性 。 A.带正电 B.带负电 C.呈中性
4．当PN结外加正向电压作用下，内电场 削弱 ；扩散电流 大于 漂移电流。
A.增强 B.削弱 C.大于 D.小于 5．当PN结外加正向电压时，扩散电流 大于 漂移电流，耗尽层 变窄 。 A.大于 B.小于 C.等于 D.变宽 E.变窄 F.不变
6．用万用表直流电压档，测得电路中晶体管各电极相对 于参考点“地”的电位如右图所示。从而判断出该晶体三 极管工作在 D 状态。
A.倒置 B.截止 C.饱和 D.放大
7．温度升高后，半导体三极管的电流放大系数β将 A ，穿透电流ICEO A 。
A.变大 B.变小 C.不变
8．三极管的穿透电流ICEO是集—基反向饱和电流ICBO的 C 倍，在选用管子时，一般希望ICEO尽量 D 。
A.1/β B.β C.（1＋β） D.小 E.大
9．右图所示电路中，稳压管DZ1和DZ2的稳定电压分别为 6V和7V，正向压降均为0.7V,且具有理想的稳压特性， 则输出电压U0为 D 。
A.6V B.7V C.13V D.1V
10．设硅稳压管DZ1和DZ2的稳定电压分别为5V和8V，正向 压降均为0.7V，则右图电路的输出电压U0为 C 。 A.5V B.8V C.13V D.3V
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11．某三极管PCM=100mW，ICM=20mA，U(BR)CEO=15V，能正常工作的是 C 。 A. UCE=3V，IC=10mA B. UCE=2V，IC=40mA C. UCE=6V，IC=20mA D. UCE=20V，IC=4mA
12．三极管工作在饱和区时，b-e极间为 正向偏置 ,b-c极间为 正向偏置 ；工作在放大区时，b-e极间为 正向偏置 ,b-c极间为 反向偏置 ；工作在截止区时，b-e极间为 反向偏置 ,b-c极间为 反向偏置 。
A.正向偏置 B. 反向偏置 C.零偏置
二．填空
1．硅二极管的死区电压约 0.5 V，正向压降约 0.6-0.8 V，锗二极管的死区电压约 0.1 V，正向压降约 0.2-0.3 V。
2．在二极管上加反向电压时，形成很小的反向电流。反向电流有两个特点：一是随温度的上升 而上升 ；一是当外加反向电压过高时，反向电流 突然增大 ，二极管失去 单向导电 性，这种现象称为 反向击穿 。
三．判断
1.对者在括号中打“√” ，错者打“×” 。 (1) 在半导体中，同时存在电子导电和空穴导电。（ √ ） (2) 有两个晶体管，A管的??50,ICBO?0.5?A,B管的??150,ICBO?2?A。如果其他参数一样，则选用A管较好一些。（ √ ） (3) 晶体管的发射极和集电极可以调换使用。（ × ）
2．二极管电路如下图所示，判断图中二极管是导通还是截止，并确定各电路的输出电压UO 。设二极管的导通压降为0.7V 。
导通 UO =（10-5）-0.7=4.3V 截止 UO=-(10-5)=-5v
??
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D1导通 UO=-(9-0.7)=-8.3V D2 导通 UO=-（10-0.7）=-9.3V D2截止 D1截止
3．在三极管放大电路中，测得三只三极管各个电极的电位如下图所示，试判断各三极管的类型、材料、电极。
NPN 金属 1.2.3—EBC NPN 金属 1.2.3-EBC PNP金属 1.2.3-CBE
4. 测得工作在放大电路中的两个晶体管的两个电极电流的大小和方向如下图所示，试：（1）判断它们是NPN还是PNP型管，并标出e、b、c电极；（2）求另一个电极电流，并在图中标出实际方向；（3）估算它们的β值。
(1) PNP i=4+0.1=4.1mA (2)NPN i=6.1-0.1=6mA
0.1-b 4-e 4.1-c 0.1-b 6.1-c 6-e
β=4.1/0.1=41 β=6.1/0.1=61
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四、问答
1．有两只稳压二极管DZ1和DZ2，其稳定电压分别为5.5V和8.5V，正向压降都是0.5V。试问：欲0.5V，3V，6V，9V和14V几种稳定电压，这两只二极管应如何联结？画出各电路图。
教材p34 14.4.4
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