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材料科学基础(民间整理版-仅供参考)汇总
名词解释：（每一道题3分）
按一定方式在三维空间内周期性地规则重复排列，有固定熔点、各向异性。
子没有长程的周期排列，无固定的熔点，各向同性等。 体结构中原子体积占总体积的百分数。
非金属（X）和金属（M）原子半径的比值rX/rM<0.59 时，形成的具有简单晶体结构的相，称为间隙相。 :当非金属（X）和金属（M）原子半径的比值rX/rM>0.59 时，形成具有复杂晶体结构的相
以某一组元为溶剂，在其晶体点阵中溶入其他组元原子（溶剂原子）所形成的均匀混合的固态溶体，它保持溶剂的:溶质原子分布于溶剂晶格间隙而形成的固溶体称为间隙固溶体。
指几何点在三维空间作周期性的规则排列所形成的三维阵列，是人为的对晶体结构的抽象。 体中一个滑移面及该面上一个滑移方向的组合称一个滑移系。 是指两个晶体（或一个晶体的两部分）沿一个公共晶面构成镜面对称的位向关系，这两个晶体就称为孪晶，此公共晶:在个体中晶体中，当某一原子具有足够大的振动能而使振幅增大到一定程度时，就可能克服周围原子对它的制约作移到晶体表面或内表面的正常结点位置上而使晶体内部留下空位，称为肖脱基空位。
位:离开平衡位置的原子挤入点阵中的间隙位置，而在晶体中同时形成相等数目的空位和间隙原子。
应:反映了置换原子的扩散机制，两个纯组元构成扩散偶，在扩散的过程中，界面将向扩散速率快的组元一侧移动伴随有化学反应而形成新相的扩散称为反应扩散。
在稳态扩散过程中，扩散组元的浓度只随距离变化，而不随时间变化。
:扩散组元的浓度不仅随距离x 变化，也随时间变化的扩散称为非稳态扩散。
:当两相在相界处的原子排列相差很大时，即错配度δ很大时形成非共格晶界。同大角度晶界相似，可看成由原子不构成。
如果两相界面上的所有原子均成一一对应的完全匹配关系,即界面上的原子同时处于两相晶格的结点上,为相邻两晶共格相界。
通常把溶质原子与位错交互作用后，在位错周围偏聚的现象称为气团，是由柯垂尔首先提出，又称柯氏气团。 :新相优先在母相中存在的异质处形核，即依附于液相中的杂质或外来表面形核。
新相晶核是在母相中存在均匀地生长的，即晶核由液相中的一些原子团直接形成，不受杂质粒子或外表面的影响。变过程中冷却到相变点以下某个温度后发生转变，平衡相变温度与该实际转变温度之差称过冷度。
液态结构的原子排列为长程无序，短程有序，并且短程有序原子团不是固定不变的，它是此消彼长，瞬息万变，尺寸为结构起伏。
给出了平衡状态下体系中存在的相数与组元数及温度、压力之间的关系。
液固相线温度间隔大的固溶体类合金，当凝固冷却速度较快时，易发生不平衡结晶，使先结晶成分来不及充分扩散
金属材料在受到外力作用持续变形的过程中，随着变形的增加，强度硬度增加，而塑韧性下降的现象。
简答题：（每一道题4分）
第1章
1. 原子间的结合键共有几种？各自特点如何？（ 分） 答：
1、化学键包括：
? 金属键：电子共有化，既无饱和性又无方向性
? 离子键：以离子而不是以原子为结合单元，要求正负离子相间排列，且无方
向性，无饱和性
? 共价键：共用电子对；饱和性；配位数较小，方向性 2、物理键如范德华力，系次价键，不如化学键强大
3、氢键：分子间作用力，介于化学键与物理键之间，具有饱和性
第2章
2. 试从晶体结构的角度，说明间隙固溶体、间隙相及间隙化合物之间的区别（ 分）
答：溶质原子分布于溶剂晶格间隙而形成的固溶体成为间隙固溶体。形成间隙固溶体的溶质原子通常是原子半径小于0.1nm的非金属元素，如H、B、C、N、O等。间隙固溶体保持溶剂的晶体结构，其成分可在一定固溶度极限值内波动，不能用分子式表示。（2分）
间隙相和间隙化合物属于原子尺寸因素占主导地位的中间相。也是原子半径较小的非金属元素占据晶格的间隙，然而间隙相、间隙化合物的晶格与组成他们的任一组元晶格都不相同，其成分可在一定范围内波动。组成它们的组元大致都具有一定的原子组成比，可用化学分子式来表示。（2分）
当rB/rA<0.59时，通常形成间隙相，其结构为简单晶体结构，具有极高的熔点和硬度；当rB/rA>0.59时，形成间隙化合物，其结构为复杂的晶体结构。（2分）
3. 试以表格形式归纳总结3种典型的晶体结构的晶体学特征。（ 分） 答：书上表 第3章
4. 简述晶体中产生位错的主要来源。（ 分） 答：晶体中的位错来源主要可有以下几种。 1).晶体生长过程中产生位错。其主要来源有：
①由于熔体中杂质原子在凝固过程中不均匀分布使晶体的先后凝固部分成分不同，从而点阵常数也有差异，可能形成位错作为过渡；（1分）
②由于温度梯度、浓度梯度、机械振动等的影响，致使生长着的晶体偏转或弯曲引起相邻晶块之间有位相差，它们之间就会形成位错；（1分）
③晶体生长过程中由于相邻晶粒发生碰撞或因液流冲击，以及冷却时体积变化的热应力等原因会使晶体表面产生台阶或受力变形而形成位错。（1分） 2).由于自高温较快凝固及冷却时晶体内存在大量过饱和空位，空位的聚集能形成位错。（1分）
3).晶体内部的某些界面（如第二相质点、孪晶、晶界等）和微裂纹的附近，由于热应力和组织应力的作用，往往出现应力集中现象，当此应力高至足以使该局部区域发生滑移时，就在该区域产生位错。（1分） 5. 简述晶界具有哪些特性？ 答：
1）晶界处点阵畸变变大，存在晶界能，故晶粒长大和晶界平直化是一个自发过程。
2）晶界处原子排列不规则，从而阻碍塑性变形，强度更高。这就是细晶强化的本质。
3）晶界处存在较多缺陷（位错、空位等），有利原子扩散。 4）晶界处能量高，固态相变先发生，因此晶界处的形核率高。
5）晶界处成分偏析和内吸附，又富集杂质原子，因此晶界熔点低而产生“过热”现象。
6）晶界能高，导致晶界腐蚀速度比晶粒内部更高。
6. 对于同一种晶体，它的表面能与晶界能（相同的面积）哪一个较高？为什么？
（ 分）
答：对于同一种晶体，晶界能比表面能高（1分）。推导如下：
假设晶体的理想光滑的两个等面积平面合拢，会形成一个晶体内界面，该界面的能量相当于两个外表面之和，且理想状态下破坏该界面结合所需要的能量相当于键合能。即相同面积下，E晶界>E完整晶体键合能>2倍E表面（2分）
第4章
7. 简述影响固体中原子和分子扩散的因素有哪几方面。（ 分） 答：
1、温度；2、固溶体类型；3、晶体结构；4、晶体缺陷；5、化学成分；6、应力的作用
（各0.5分）
第5章
8. 简述金属材料经过塑性变形后，可能会发生哪些方面性能的变化。（ 分） 答：
(1) 加工硬化: 塑性变形后，性能上最为突出的变化是强度（硬度）显著提
高，塑性迅速下降。（1分）
(2) 腐蚀速度：塑变使扩散过程加速，腐蚀速度加快 （1分）
(3) 密度：对含有铸造缺陷（如气孔、疏松等）的金属经塑性变形后可能使
密度上升（1分）
(4) 弹性模量：塑变使弹性模量升高（1分）
(5) 电阻率：塑性变形使金属的电阻率升高。变化程度因材质而异。（1分） (6) 另外，塑性变形还会引起电阻温度系数下降、导磁率下降、导热系数下
降。（1分）
9. 金属的退火处理包括哪三个阶段？简述这三个阶段中晶粒大小、结构的变
化。（ 分） 答：
退火过程分为回复、再结晶和晶粒长大三个阶段。回复是指新的无畸变晶粒出现之前所产生的亚结构和性能变化的阶段；再结晶是指出现无畸变的等轴新晶粒逐步取代变形晶粒的过程；晶粒长大是指再结晶结束之后晶粒的继续长大。（3分）
在回复阶段，由于不发生大角度晶界的迁移，所以晶粒的形状和大小与变形态的相同，仍保持着纤维状或扁平状，从光学显微组织上几乎看不出变化。在再结晶阶段，首先是在畸变度大的区域产生新的无畸变晶粒的核心，然后逐渐消耗周围的变形基体而长大，直到形变组织完全改组为新的、无畸变的细等轴晶粒为止。最后，在晶界表面能的驱动下，新晶粒互相吞食而长大，从而得到一个在该条件下较为稳定的尺寸，称为晶粒长大阶段。（3分）
第6章