loading已知如图5所示，回答题45-46. 45.三极管剩下的管脚的电流为：
A.3.9mA，方向向下 B.3.9mA，方向向上 C.4.1mA，方向向下 D.4.1mA，方向向上 46.最左边的管脚是：
A.基极 B.发射极 C.集电极 D.不一定
图5
47、PN结的主要特性是___A_____。
A、单向导电性 B、双向导电 C、正偏 D、反偏
48、下图所示各晶体管处于放大工作状态，已知各电极直流电位如图所示，则该晶体管的类型为____A_____。
A、NPN 硅管 B、NPN 锗管 C、PNP 硅管 D、PNP 锗管
49、上题中，x、y、z 代表的电极分别为 A 。
A、b、c、e B、b、e、c C、e、b、c D、c、e、b 50、NPN三极管放大工作状态时，电流的方向是___D____。 A、IE和IB流入、IC流出 B、IE流入、IB和IC流出 C、IC流入、IE和IB流出 D、IB和IC流入、IE流出
51、某晶体三极管集电极电流为1mA，基极电流为20μA，则发射极电流为_____B___mA。
A、0.98 B、1.02 C、0.8 D、1.2 52、半导体三极管是一种___A_____器件。
A、电流控制电流 B、电流控制电压 C、电压控制电压 D、电压控制电流
53、测得双极型晶体管三个电极的静态电流分别为0.08mA，4.8mA和4.88mA，则该管的β为____D____。
A、40 B、50 C、80 D、60
54、两个稳压二极管的稳压值分别为8V和10V，将它们组成如图所示电路，设输入电压U1值是12V，则输出电压U0为__D______。
A、10V B、12V C、9V D、8V
55、P型半导体中多数载流子是______，少数载流子是________。 A、自由电子 正离子 B、空穴 负离子 C、空穴 自由电子 D、自由电子 空穴 56、半导体三极管是一种 器件。
A、电流控制电流 B、电流控制电压 C、电压控制电压 D、电压控制电流
57、当二极管两端正向偏置电压大于 时，二极管才能导通。 A、反向击穿电压 B、饱和电压 C、正向导通压降 D、门坎电压
58、二极管电路如图所示，设二极管导通电压UD＝0.7V ，则输出电压值为 。
A、2V B、0V C、1.3V D、-1.3V
59、杂质半导体中，多子的浓度与 有关。
A、晶体缺陷 B、掺杂工艺 C、杂质浓度 D、温度
60、某放大电路中,晶体管三个电极的电流如图所示，测出
，由此可知对应电极②是 。 A、发射极 B、基极 C、集电极 D、不能确定
61、测量三极管三个电极对地电位如图所示，则三极管的工作状态为 。 A、放大状态 B、饱和状态 C、截止状态 D、击穿状态
62、发射结正偏，集电结正偏，则晶体管工作在________。
A、放大区 B、截止区 C、饱和区 D、以上都不对
63、测量放大电路某三极管的各电极电位为6V、11.3V、12V，则此三极管为______。
A、PNP 锗三极管 B、PNP 硅三极管 C、NPN 锗三极管 D、NPN 硅三极管
64、某放大电路晶体管发射极电流为1mA，基极电流为20μA，则集电极电流为 mA。
A、0.98 B、1.02 C、0.8 D、1.2
65、二极管两端反向偏置电压增高时，在达到 电压以前，通过的电流很小
A、死区 B、最大 C、短路 D、击穿 66、PN结反向偏置时，空间电荷区________。
A、变宽 B、变窄 C、基本不变 D、不能确定 67、二极管的最高反向工作电压是50V，则它的击穿电压是 。 A、50V B、100V C、150V D、200V 68、下面不属于模拟信号的是
A、温度 B、人数 C、流量 D、压力 69、稳压管的稳压区是其工作在
A、正向导通 B、反向截止 C、反向击穿 D、无法确定
70、下图所示各晶体管处于放大工作状态，已知各电极直流电位如图所示，则该晶体管的类型为_________。
A、NPN 硅管 B、NPN 锗管 C、PNP 硅管 D、PNP 锗管
71、上题中，x，y，z代表的电极分别为 A、b、c、e B、b、e、c C、e、b、c D、c、e、b 72、在N型半导体中，多数载流子为___B_____。
A、空穴 B、自由电子 C、正离子 D、负离子 73、在本征半导体中加入 C 元素可以获得P型半导体。 A、五价 B、四价 C、三价 D、任何杂质
74、本征半导体中，自由电子的浓度__C______空穴的浓度。 A、大于 B、小于 C、等于 D、不能确定
75、稳压二极管通常工作在____A___状态下，能够稳定电压。 A、反向击穿区 B、正向导通区 C、反向截止区 D、正向截止区
76、当PN结反向加电时（反偏），下列结论正确的是__A______。
A、外电场加强内电场，耗尽层变宽 B、外电场加强内电场，耗尽层变窄 C、外电场削弱内电场，耗尽层变窄 D、外电场削弱内电场，耗尽层变宽 77、半导体二极管的最主要特性是____A____。
A、单向导电性 B、温度特性 C、击穿特性D、导通后管压降不变特性 78、NPN型晶体管工作在放大状态时，各极电位关系为UE ____UB___ UC。（B） A、 >，> B、 <，< C、 <，= D、 不能确定
79、二极管电路如图所示，二极管D1和D2的工作状态是___A_____。
A、D1、D2均截止 B、D1、D2均导通 C、D1导通、D2截止 D、D2导通、D1截止 80、如下图，硅稳压二极管VS的稳定电压是6V,则电路的输出电压为__B______。
A、10V B、6V C、16V D、-6V
81、IB、IC、IE分别表示晶体管三个极的电流，这三个电流之间的关系是_____C___。
A、IB=IC+IE B、IC=IB+IE C、IE=IB+IC D、无法确定
82、测得晶体管三个电极的静态电流分别为0.08mA，4.8mA和4.88mA，则该管的β为__D______。
A、40 B、50 C、80 D、60
83、NPN三极管放大工作状态时，电流的方向是__D______。 A、IE和IB流入、IC流出 B、IE流入、IB和IC流出 C、IC流入、IE和IB流出 D、IB和IC流入、IE流出
84、测量某放大电路三极管的各电极电位为6V、11.3V、12V，则此三极管为__B______。
A、PNP 锗三极管 B、PNP 硅三极管 C、NPN锗三极管 D、NPN 硅三极管 85、下列不属于半导体材料的是（）。 A、硅 B、碳 C、锗 86、（）能将光信号转换为电信号。
A、稳压二极管 B、光敏二极管 C、发光二极管 87、在半导体中掺入五价元素后的半导体为（ ）。
A、 本征半导体 B、P型半导体 C、 N型半导体
88、半导体和金属导体导电最重要的区别是：半导体有（）载流子，金属导体有（）载流子 。 A、 两种 三种 B、 两种 一种 C、 一种 两种 D、 一种 三种
89、P型半导体的多数载流子是（） A、 自由电子 B、空穴 C、 正离子 D、负离子
90、平衡PN结的扩散电流（）漂移电流。 A、大于 B、等于 C、小于 91、PN结反向偏置的连接方法为（）。
A、 P区接电源正极，N区接电源负极